薄膜沉积系统
从紧凑型科研蒸发台到全自动多腔室集群平台——涵盖PVD、CVD、ALD、PLD、IBSD五大工艺路线,60+ 台套系统覆盖薄膜制备全流程。
全流程薄膜解决方案
从紧凑型科研镀膜机到产线级多腔集群系统,涵盖PVD磁控溅射、热/电子束蒸发、ALD原子层沉积、CVD化学气相沉积、PLD脉冲激光沉积五大核心技术路线,并设有量子器件、钙钛矿太阳能电池、金刚石生长等专用平台。所有系统均附带工艺配方与应用支持。
预处理
等离子清洗核心沉积
PVD · 蒸发 · ALD · CVD · PLD · IBSD专用平台
量子 · 铟 · 钙钛矿 · SCA · MPCVD多工艺集成
集群系统后处理
真空干燥预处理
沉积前的基底表面清洗与活化——去除有机污染物,提升薄膜附着力。
核心沉积
薄膜生长——根据材料、保形性和产能需求,选择最合适的沉积工艺。
磁控溅射
DC/RF溅射,适用于金属、合金及TCO镀膜。10–100 nm/min。
蒸发镀膜
热蒸发与电子束蒸发,适用于金属及有机材料。速率达500 nm/min。
原子层沉积 (ALD)
自限制表面化学反应,实现埃级精度膜厚控制,保形性100%。
化学气相沉积 (CVD)
LPCVD、PECVD、ICP-PECVD 和 MPCVD,覆盖石墨烯、金刚石、介质膜和电池材料。
外延系统
6/8英寸 SiC 同质外延 CVD,功率半导体级均匀性 <0.64%。
脉冲激光沉积 (PLD)
复杂氧化物与铁电薄膜,保持化学计量比。
离子束溅射 (IBSD)
亚埃级表面粗糙度,适用于精密光学和DUV/EUV镀膜。1–10 nm/min。
面向特定应用的专用沉积系统
从超导量子器件到红外探测器、钙钛矿太阳能电池、锂电池硅碳负极、实验室级金刚石——每套系统都针对特定工艺链深度优化。
量子与超导系列
约瑟夫森结、transmon 量子比特、超导多层膜——从研发级影子蒸镀到 12 英寸产线级制造。
Indium Series
高产能热蒸发镀膜——专为红外焦平面阵列铟柱凸点制备,精密剥离工艺。
Perovskite Series
共蒸发与顺序沉积工艺——高效钙钛矿及叠层太阳能电池制备。
MPCVD 金刚石生长系统
微波等离子体 CVD 金刚石生长系统——实验室级单晶/多晶金刚石制备。
离子镀·Parylene·电弧熔炼
特种镀膜与功能涂层设备——离子镀工艺、Parylene 共形保护层、电弧熔炼真空系统。
多工艺集成
在连续真空环境下组合多种沉积和处理工艺,用于高端器件叠层制备。
后处理
湿法沉积后的薄膜干燥与退火——钙钛矿及溶液法薄膜的关键工艺环节。