八大工艺类别，一站式薄膜方案
从纳米级精密原子层到高产能量产镀膜——覆盖所有主流沉积与表面处理技术的完整薄膜解决方案。
等离子清洗
表面活化、有机物去除、沉积前清洗
4 台设备 所有沉积工艺磁控溅射
金属、合金、TCO、硬质涂层、光学多层膜
15 台设备 半导体 · 光伏 · 显示蒸发镀膜
剥离工艺、铟凸点、钙钛矿共蒸、有机层
10 台设备 太阳能 · OLED · 红外探测ALD 原子层沉积
高k介质、MEMS钝化、粉体包覆、封装
9 台设备 半导体 · MEMS · 催化CVD 化学气相沉积
石墨烯、金刚石、SiC外延、碳纳米管、电池负极
5 台设备 功率电子 · 二维材料离子束溅射 (IBSD)
DUV光学、激光反射镜、电信滤波片、精密镀膜
1 台平台 精密光学 · 航空航天集群系统
真空不间断多工艺、约瑟夫森结、器件堆叠
4 台平台 量子计算 · 封装真空干燥
钙钛矿薄膜干燥、溶剂快速蒸发
2 台设备 钙钛矿太阳能 · 薄膜DC · RF · 脉冲DC · HiPIMS
从紧凑型桌面到产线级——在最大500 mm基板上沉积金属、合金、氧化物和氮化物薄膜。
磁控溅射是最通用的PVD技术——等离子体离子轰击靶材，沉积致密、附着力优异的薄膜，适用于几乎所有固体材料。广泛用于电极金属化、透明导电氧化物（ITO/AZO）、硬质涂层和多层光学膜系。
多源 · QCM控制 · 手套箱集成
精密蒸发镀膜，适用于剥离工艺、有机层、铟凸点键合和钙钛矿全栈沉积。
热蒸发和电子束蒸发通过加热源材料使其升华或熔化，以视线沉积方式制备高纯度薄膜。结合QCM速率控制和多源能力，在剥离图形化、有机/金属接触层和多层钙钛矿太阳电池共蒸方面表现出色。
0.1–1.5 Å/cycle · 100% 保形性
自限制表面反应，适用于栅介质、MEMS钝化、纳米结构功能化和粉体包覆。
ALD逐原子层沉积薄膜——每个循环精确添加0.1–1.5 Å，不受表面形貌影响，能够在深沟槽、多孔膜和三维纳米结构上实现完全一致的厚度覆盖。
LPCVD · PECVD · MPCVD · SiC外延
气相合成石墨烯、金刚石、SiC、碳纳米管和保形阻隔膜，最高温度1100°C。
CVD通过气相化学反应生长薄膜，制备PVD无法实现的材料——单层石墨烯、单晶金刚石、功率器件用外延SiC和碳纳米管。
真空不间断多工艺集成
PVD → ALD → 刻蚀全程不破真空，机械手传片，可编程工艺序列。
表面活化与有机物去除
沉积前表面处理——去除有机污染物、改善附着力、活化表面以提升薄膜质量。
亚埃级粗糙度，精密光学之选
当光学元件要求近体密度薄膜和亚埃级粗糙度时，IBSD提供磁控溅射无法达到的精度。
钙钛矿薄膜干燥与溶剂快速蒸发
快速真空闪蒸实现均匀的钙钛矿薄膜干燥——可重复性太阳电池制备的关键工艺。
如何选择沉积方法
| 工艺环节 | 技术 | 原理 | 核心指标 | 速率 / 时间 | 最佳应用 |
|---|---|---|---|---|---|
| 前处理 — 基底清洁与表面活化 | |||||
| 前处理 | 等离子清洗 | 射频等离子体氧化/还原 | 接触角 <5° | 2–15 min/批次 | 有机物去除、表面活化、附着力增强 |
| 核心沉积 — 薄膜生长 | |||||
| 沉积 | 磁控溅射 | 等离子体离子轰击 | 厚控: 良好 (QCM)；保形: 中等 | 10–100 nm/min | 金属、合金、TCO、硬质涂层 |
| 沉积 | 热蒸发 | 电阻加热蒸发 | 厚控: 良好 (QCM)；保形: 低 | 50–500 nm/min | 简单金属、铟凸点、有机物 |
| 沉积 | 电子束蒸发 | 电子束加热蒸发 | 厚控: 优秀；保形: 低 | 1–100 Å/s | 高纯材料、难熔金属 |
| 沉积 | ALD | 自限制表面反应 | 厚控: 原子级精度；保形: 100% | 0.1–1.5 Å/cycle | 高k介质、MEMS钝化、纳米结构 |
| 沉积 | CVD (LP/PE/MP) | 气相化学反应 | 厚控: 良好；保形: 良好–优秀 | 视工艺而定 | 石墨烯、金刚石、SiC外延 |
| 沉积 | 离子束 (IBSD) | 离子束溅射靶材 | 厚控: 优秀 (光学)；保形: 中等 | 1–10 nm/min | 精密光学、DUV/EUV镀膜 |
| 集成 | 集群系统 | 真空不间断多工艺串联 | 多腔体；真空传输 <10⁻⁷ Torr | 按工艺组合 | 约瑟夫森结、器件堆叠、多层膜 |
| 后处理 — 薄膜干燥与退火 | |||||
| 后处理 | 真空干燥 | 真空快速闪蒸溶剂 | 真空度: <100 Pa；均匀性: ±3% | 30 s–5 min/片 | 钙钛矿薄膜干燥、溶剂快蒸 |
探索薄膜沉积应用场景
薄膜沉积技术支撑着多个行业的核心应用。
影蒸发法制备超导量子比特
以精确控制的角度（±0.1°）沉积Al/AlOx/Al约瑟夫森结，临界电流变异<3.9%。
真空沉积钙钛矿太阳电池效率突破24%
序贯真空沉积法实现单结电池24.42% PCE，叠层电池达27.2%。
离子束溅射沉积用于DUV和EUV光学镀膜
IBSD制备近体密度薄膜，表面粗糙度<0.2 nm RMS。
CVD生长石墨烯和金刚石薄膜
CVD合成单晶石墨烯用于柔性电子，多晶金刚石薄膜用于大功率器件散热。
常见问题解答
溅射利用高能等离子体离子轰击固体靶材使原子逸出，制备致密薄膜。蒸发通过加热源材料使其升华，以视线沉积方式制备高纯度薄膜。
当需要埃级厚度控制、在高深宽比结构上实现100%保形覆盖，或在极薄厚度下获得无针孔薄膜时，ALD是首选。
约瑟夫森结通常采用影蒸发技术——以精确控制的角度沉积两层铝，中间进行受控氧化形成隧道结。
可以。序贯真空沉积已实现单结电池24.42%的光电转化效率和叠层电池27.2%的效率。
IBSD使用独立离子枪，将离子能量与等离子体条件解耦，制备近体密度、亚埃级粗糙度的薄膜，是精密光学镀膜首选。
LPCVD（500–1100°C）适合石墨烯和二维材料；PECVD（200–400°C）适合温敏基板上沉积SiOx/SiNx；MPCVD用于单晶金刚石薄膜。
您的薄膜技术合作伙伴
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Quantum系列、Reticle IBSD、集群平台、钙钛矿共蒸——完整的薄膜产品线。
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我们理解约瑟夫森结、光学镀膜设计和钙钛矿化学计量——并据此配置系统。
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